7月15日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“分气转接环、托盘旋转机构及半导体处理设备”的专利，授权公告号CN118147615B，授权公告日为2026年7月14日。申请公布号为CN118147615A，申请号为CN202211559180.8，申请公布日期为2026年7月14日，申请日期为2022年12月6日，发明人张昭、汪国元、胡甘成，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师张妍、张静洁，分类号C23C16/458、C23C16/455、C23C16/46。

专利摘要显示，本发明公开一种分气转接环、托盘旋转机构及半导体处理设备，半导体处理设备的反应腔内设置托盘旋转机构，所述托盘旋转机构包含支撑套筒、设置在所述支撑套筒内的拉杆组件，以及位于所述支撑套筒顶部的分气转接环，用于承托晶圆的晶圆托盘组件设置在分气转接环中的环主体上，晶圆托盘组件的下方设置加热装置，环主体内设置多条第一吹扫气体通道，用于向晶圆托盘组件的底部与加热装置的顶部之间的区域吹扫气体。本发明防止颗粒物沉积在加热装置上，有效保护加热装置，确保对晶圆的均匀加热，延长了加热装置的使用寿命。

天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期2004年5月31日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本62614.5307万人民币，实缴资本62691.781万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目89次，财产线索方面有商标信息116条，专利信息1735条，拥有行政许可88个。

中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种射频功率供应系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511924458.02025-12-18CN121879506A2026-04-17倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰2一种工艺顶盖及气相沉积设备实用新型授权CN202521979639.92025-09-15CN223458392U2025-10-21刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平3晶圆托盘外观专利授权CN202530511724.12025-08-28CN309976984S2026-05-12代宇通、汪国元、黄稳、姜勇4聚焦环外观专利授权CN202530468204.72025-08-08CN310024085S2026-06-09范光伟、周艳5聚焦环外观专利授权CN202530468218.92025-08-08CN310024087S2026-06-09范光伟、周艳6聚焦环外观专利授权CN202530468041.22025-08-08CN310024084S2026-06-09范光伟、周艳7气体喷淋头外观专利授权CN202530466397.22025-08-07CN309910861S2026-04-10孟可、周艳、李开元8气体喷淋头外观专利授权CN202530466450.92025-08-07CN309910862S2026-04-10朱永成9气体喷淋头外观专利授权CN202530466394.92025-08-07CN309910860S2026-04-10周艳、李开元10接地环外观专利授权CN202530466452.82025-08-07CN310024083S2026-06-09周艳、李开元11物理气相沉积设备及其磁控管调整机构实用新型授权CN202521450528.92025-07-10CN224494308U2026-07-14马化韬、刘学滨、王能语12一种供气系统及半导体处理装置实用新型授权CN202521318120.62025-06-25CN224494325U2026-07-14刘进、徐灿阳、许灿、沈成绪、杨闰清13一种气相沉积装置实用新型授权CN202521091304.32025-05-29CN224337694U2026-06-09何伟业、王能语、刘学滨、陈冬、张泽涛、刘雯伊14一种聚焦环功率调节组件实用新型授权CN202520964307.72025-05-15CN224342273U2026-06-09田宁、叶如彬、范光伟15一种等离子体处理装置及其约束环组件实用新型授权CN202520892625.72025-05-07CN224342272U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、孟可、田宁16一种真空吸盘、基座组件和薄膜沉积装置实用新型授权CN202520892567.82025-05-07CN224350749U2026-06-12董维、庄宇峰、付海涛、王晓明、李远17一种金属钛层的沉积工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510559967.12025-04-29CN122214841A2026-06-16沈成绪、许灿18反应腔、高深宽比结构及其形成方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510550377.22025-04-28CN120072612B2025-07-25尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强19基片托盘外观专利授权CN202530230568.12025-04-25CN309730273S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开20基片托盘外观专利授权CN202530230569.62025-04-25CN309730274S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开21环组件及外延生长设备实用新型授权CN202520811017.92025-04-25CN224337799U2026-06-09张辉、姜银鑫、陆顺开22一种下电极组件及等离子体处理设备实用新型授权CN202520786770.72025-04-23CN224342271U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、田宁、孟可23一种半导体处理设备及其气体喷淋头实用新型授权CN202520786902.62025-04-23CN224343720U2026-06-09程程、李雪子24电磁线圈组件及半导体加工设备实用新型授权CN202520763154.X2025-04-21CN224232426U2026-05-12王亚军、周国祥25一种磁控管组件及磁控溅射设备实用新型授权CN202520736456.82025-04-17CN224337693U2026-06-09刘畅、刘恺民、王能语26一种基片处理系统实用新型授权CN202520716379.X2025-04-15CN224267209U2026-05-22徐义、陈琦、莱纳德·刘、梁冬冬、张海龙、陶珩、吴红星27一种气相沉积设备及半导体处理系统发明专利公布CN202510444720.52025-04-09CN120830094A2025-10-24尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅28一种升降驱动组件和半导体工艺设备实用新型授权CN202520618963.12025-04-02CN224020732U2026-03-20李琳、王许、朱永成、周艳29下电极组件及等离子体处理设备实用新型授权CN202520539349.62025-03-25CN224123342U2026-04-14田宁、叶如彬、范光伟30一种掩膜结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293724.82025-03-12CN121496378A2026-02-10罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海31掩膜结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293826.X2025-03-12CN121496322A2026-02-10罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海32一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510293764.22025-03-12CN121496321A2026-02-10尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙33等离子体约束结构及等离子体处理设备实用新型授权CN202520402185.22025-03-07CN224232637U2026-05-12叶如彬、马越、王洪青、范光伟34一种环组件及成膜装置实用新型授权CN202520251908.32025-02-17CN223780392U2026-01-09郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟35一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510165658.62025-02-14CN119673741B2025-05-30叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟36一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体处理设备实用新型授权CN202520210442.22025-02-10CN222637222U2025-03-18卢明、李博睿、倪图强37一种半导体加工设备及其控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510147729.X2025-02-10CN119601451B2025-05-09李博睿、卢明、倪图强38一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520172387.22025-01-24CN223780352U2026-01-09杜冰洁、路今、姜银鑫39一种基座及化学气相沉积设备实用新型授权CN202520166280.72025-01-23CN224001504U2026-03-17梁轩、徐立、吕术亮40一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510098695.X2025-01-21CN119517722B2025-05-13田宁、叶如彬41一种隔离结构及化学气相沉积装置实用新型授权CN202520123428.92025-01-17CN223780362U2026-01-09黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开42缓冲装置实用新型授权CN202520107111.62025-01-16CN223780359U2026-01-09杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何伟业43一种化学气相沉积装置发明专利授权CN202510073813.12025-01-16CN119932527B2026-04-10张辉、姜银鑫、姜勇44一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520086318.X2025-01-14CN223780351U2026-01-09陆顺开、周子琛、张辉45一种气体流量控制阀、气体输送装置及气体供应方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411976013.22024-12-31CN119374033A2025-01-28徐志鹏、倪图强、连增迪46化学气相沉积设备实用新型授权CN202423319091.32024-12-31CN223780363U2026-01-09朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远47一种晶圆承载组件及半导体处理设备实用新型授权CN202423320135.42024-12-31CN223899675U2026-02-10陈星棋48一种等离子体处理设备及方法发明专利公布CN202411998363.92024-12-31CN122314725A2026-06-30倪图强、王洪青49一种空穴注入层、发光二极管及其制作方法发明专利公布CN202411996572.X2024-12-31CN122318413A2026-06-30陶章峰、胡建正、马妮、郭世平、姜勇50一种基片的低温刻蚀方法发明专利公布CN202411998119.22024-12-31CN122341085A2026-07-03魏跃、张凯、朱子琦、邵志平、徐伟娜